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Microsemi Corporation - APTM10HM19FT3G

KEY Part #: K6522651

APTM10HM19FT3G 価格設定（USD） [1796個在庫]

  • 1 pcs$24.23878
  • 100 pcs$24.11819
品番:
APTM10HM19FT3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10HM19FT3G electronic components. APTM10HM19FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10HM19FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM19FT3G 製品の属性

品番 : APTM10HM19FT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 70A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 200nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5100pF @ 25V
パワー-最大 : 208W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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