ON Semiconductor - FQAF13N80

KEY Part #: K6397795

FQAF13N80 価格設定(USD) [17096個在庫]

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  • 10 pcs$2.09068
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品番:
FQAF13N80
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQAF13N80 製品の属性

品番 : FQAF13N80
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 120W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PF
パッケージ/ケース : TO-3P-3 Full Pack

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