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- 品番:
- IPD60R1K5CEATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R1K5CEATMA1 electronic components. IPD60R1K5CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R1K5CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R1K5CEATMA1 製品の属性
品番 :
IPD60R1K5CEATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
シリーズ :
CoolMOS™ CE
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 90µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
28W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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