ON Semiconductor - NTLJS4114NTAG

KEY Part #: K6393030

NTLJS4114NTAG 価格設定(USD) [390893個在庫]

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品番:
NTLJS4114NTAG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLJS4114NTAG 製品の属性

品番 : NTLJS4114NTAG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 35 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 650pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 700mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース : 6-WDFN Exposed Pad

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