Nexperia USA Inc. - BUK9107-55ATE,118

KEY Part #: K6410121

[45個在庫]


    品番:
    BUK9107-55ATE,118
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9107-55ATE,118 electronic components. BUK9107-55ATE,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9107-55ATE,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9107-55ATE,118 製品の属性

    品番 : BUK9107-55ATE,118
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 75A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.2 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 108nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±15V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5836pF @ 25V
    FET機能 : Temperature Sensing Diode
    消費電力(最大) : 272W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-426
    パッケージ/ケース : TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

    あなたも興味があるかもしれません
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FCD7N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

    • FDD5810

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

    • BSL211SPT

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.