FDS6900AS 価格設定（USD） [203104個在庫]
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- 2,500 pcs$0.18211
- 品番:
- FDS6900AS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6900AS electronic components. FDS6900AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6900AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6900AS 製品の属性
品番 :
FDS6900AS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
シリーズ :
PowerTrench®, SyncFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.9A, 8.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
600pF @ 15V
パワー-最大 :
900mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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