SI2312BDS-T1-E3 価格設定（USD） [529776個在庫]
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- 品番:
- SI2312BDS-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-E3 electronic components. SI2312BDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2312BDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2312BDS-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI2312BDS-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
850mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
750mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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