メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
19A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
260nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
6800pF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)