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- 品番:
- IRF624S
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRF624S electronic components. IRF624S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF624S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF624S 製品の属性
品番 :
IRF624S
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.1 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
260pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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