FDFM2N111 価格設定（USD） [233932個在庫]
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- 品番:
- FDFM2N111
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDFM2N111 electronic components. FDFM2N111 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFM2N111, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFM2N111 製品の属性
品番 :
FDFM2N111
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
273pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
1.7W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
MicroFET 3x3mm
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
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