Vishay Siliconix - IRFD224PBF

KEY Part #: K6392917

IRFD224PBF 価格設定(USD) [56337個在庫]

  • 1 pcs$0.69405
  • 2,500 pcs$0.26190

品番:
IRFD224PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD224PBF electronic components. IRFD224PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD224PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD224PBF 製品の属性

品番 : IRFD224PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 630mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 260pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

あなたも興味があるかもしれません