Infineon Technologies - IRF100B201

KEY Part #: K6411167

IRF100B201 価格設定(USD) [31701個在庫]

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品番:
IRF100B201
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF100B201 製品の属性

品番 : IRF100B201
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 192A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9500pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 441W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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