SSM5N15FE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1169017個在庫]
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- 4,000 pcs$0.03393
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 100MA ESV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE(TE85L,F) electronic components. SSM5N15FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM5N15FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM5N15FE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
SSM5N15FE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
シリーズ :
π-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7.8pF @ 3V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESV
パッケージ/ケース :
SOT-553
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