Rohm Semiconductor - R6025FNZC8

KEY Part #: K6398266

R6025FNZC8 価格設定(USD) [16611個在庫]

  • 1 pcs$2.72793
  • 10 pcs$2.43619
  • 100 pcs$1.99752
  • 500 pcs$1.61748
  • 1,000 pcs$1.36414

品番:
R6025FNZC8
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor R6025FNZC8 electronic components. R6025FNZC8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6025FNZC8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6025FNZC8 製品の属性

品番 : R6025FNZC8
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PF
パッケージ/ケース : TO-3P-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.