Diodes Incorporated - DMN2050L-7

KEY Part #: K6419788

DMN2050L-7 価格設定(USD) [618813個在庫]

  • 1 pcs$0.06099
  • 3,000 pcs$0.06069

品番:
DMN2050L-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2050L-7 electronic components. DMN2050L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2050L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2050L-7 製品の属性

品番 : DMN2050L-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 532pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.4W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.