ESH3B-M3/9AT 価格設定（USD） [374354個在庫]
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- 品番:
- ESH3B-M3/9AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A,100V,25NS,UF Rect, SMD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3B-M3/9AT electronic components. ESH3B-M3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3B-M3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH3B-M3/9AT 製品の属性
品番 :
ESH3B-M3/9AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
40ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
70pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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