Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4EVH02-M3/I

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VS-4EVH02-M3/I 価格設定(USD) [386898個在庫]

  • 1 pcs$0.09560

品番:
VS-4EVH02-M3/I
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4EVH02-M3/I 製品の属性

品番 : VS-4EVH02-M3/I
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK
シリーズ : FRED Pt®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 3µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : SlimDPAK
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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