IXYS - IXFP270N06T3

KEY Part #: K6397746

IXFP270N06T3 価格設定(USD) [22265個在庫]

  • 1 pcs$2.03603
  • 10 pcs$1.81789
  • 100 pcs$1.49067
  • 500 pcs$1.20708
  • 1,000 pcs$0.96581

品番:
IXFP270N06T3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFP270N06T3 electronic components. IXFP270N06T3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP270N06T3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP270N06T3 製品の属性

品番 : IXFP270N06T3
メーカー : IXYS
説明 : 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
シリーズ : HiperFET™, TrenchT3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 270A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 480W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.