Infineon Technologies - IPA083N10N5XKSA1

KEY Part #: K6398825

IPA083N10N5XKSA1 価格設定(USD) [42125個在庫]

  • 1 pcs$0.92818
  • 500 pcs$0.45514

品番:
IPA083N10N5XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPA083N10N5XKSA1 electronic components. IPA083N10N5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA083N10N5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA083N10N5XKSA1 製品の属性

品番 : IPA083N10N5XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 44A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.3 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 49µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2730pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 36W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • R8005ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 5A TO220.

  • R5013ANXFU6

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM.

  • R6007KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM.