Microsemi Corporation - APTM10AM05FTG

KEY Part #: K6522662

APTM10AM05FTG 価格設定(USD) [1013個在庫]

  • 1 pcs$46.03172
  • 100 pcs$45.80271

品番:
APTM10AM05FTG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10AM05FTG electronic components. APTM10AM05FTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10AM05FTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10AM05FTG 製品の属性

品番 : APTM10AM05FTG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 278A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 700nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 20000pF @ 25V
パワー-最大 : 780W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP4
サプライヤーデバイスパッケージ : SP4

あなたも興味があるかもしれません
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.