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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA1 electronic components. IPB45N06S409ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB45N06S409ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB45N06S409ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB45N06S409ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
45A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 34µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3785pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
71W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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