メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
14.1nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
380pF @ 100V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63