CSD22205L 価格設定（USD） [511324個在庫]
- 1 pcs$0.07234
- 品番:
- CSD22205L
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD22205L electronic components. CSD22205L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD22205L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD22205L 製品の属性
品番 :
CSD22205L
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.9 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.05V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1390pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
600mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-PICOSTAR
パッケージ/ケース :
4-XFLGA
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