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ON Semiconductor - 2SK4125-1EX

KEY Part #: K6401784

[2930個在庫]

    品番:
    2SK4125-1EX
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 17A TO3P.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor 2SK4125-1EX electronic components. 2SK4125-1EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK4125-1EX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK4125-1EX 製品の属性

    品番 : 2SK4125-1EX
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 600V 17A TO3P
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 17A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 610 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : -
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 46nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1200pF @ 30V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 170W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TA)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P-3L
    パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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