Diodes Incorporated - DMT10H015LSS-13

KEY Part #: K6394119

DMT10H015LSS-13 価格設定(USD) [174505個在庫]

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品番:
DMT10H015LSS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 8.3A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H015LSS-13 製品の属性

品番 : DMT10H015LSS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 100V 8.3A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1871pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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