NVATS4A104PZT4G 価格設定（USD） [108003個在庫]
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- 品番:
- NVATS4A104PZT4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVATS4A104PZT4G electronic components. NVATS4A104PZT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVATS4A104PZT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVATS4A104PZT4G 製品の属性
品番 :
NVATS4A104PZT4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
82A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.4 mOhm @ 38A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.6V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3950pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
72W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ATPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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