STMicroelectronics - STD4N90K5

KEY Part #: K6419429

STD4N90K5 価格設定(USD) [111460個在庫]

  • 1 pcs$0.33184
  • 2,500 pcs$0.29540

品番:
STD4N90K5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 900 V 0.25 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STD4N90K5 electronic components. STD4N90K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD4N90K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD4N90K5 製品の属性

品番 : STD4N90K5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 900 V 0.25 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 173pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません