Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5626-TR

KEY Part #: K6440276

1N5626-TR 価格設定(USD) [267202個在庫]

  • 1 pcs$0.14607
  • 2,500 pcs$0.14535
  • 5,000 pcs$0.13842

品番:
1N5626-TR
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5626-TR electronic components. 1N5626-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5626-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5626-TR 製品の属性

品番 : 1N5626-TR
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 7.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : SOD-64, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-64
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SD175SA45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.

  • SD175SC200A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 30A DIE.