IDB30E120ATMA1 価格設定（USD） [69605個在庫]
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- 品番:
- IDB30E120ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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IDB30E120ATMA1 製品の属性
品番 :
IDB30E120ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
50A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2.15V @ 30A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
243ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
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ES2AHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
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ホットパーツ
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54