Infineon Technologies - FZ800R45KL3B5NOSA2

KEY Part #: K6532952

FZ800R45KL3B5NOSA2 価格設定(USD) [48個在庫]

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品番:
FZ800R45KL3B5NOSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IGBT A-IHV130-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ800R45KL3B5NOSA2 製品の属性

品番 : FZ800R45KL3B5NOSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IGBT A-IHV130-4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 4500V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 1600A
パワー-最大 : 9000W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.85V @ 15V, 800A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.1nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -50°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module