Microsemi Corporation - APTGT75H60T1G

KEY Part #: K6532989

APTGT75H60T1G 価格設定(USD) [2155個在庫]

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品番:
APTGT75H60T1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75H60T1G 製品の属性

品番 : APTGT75H60T1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Full Bridge Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 4.62nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP1
サプライヤーデバイスパッケージ : SP1