IXYS - MIXA80WB1200TEH

KEY Part #: K6534463

MIXA80WB1200TEH 価格設定(USD) [802個在庫]

  • 1 pcs$61.07262
  • 5 pcs$60.76878

品番:
MIXA80WB1200TEH
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IGBT MODULE 1200V 84A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MIXA80WB1200TEH electronic components. MIXA80WB1200TEH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MIXA80WB1200TEH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MIXA80WB1200TEH 製品の属性

品番 : MIXA80WB1200TEH
メーカー : IXYS
説明 : IGBT MODULE 1200V 84A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : PT
構成 : Three Phase Inverter with Brake
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 120A
パワー-最大 : 390W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 77A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 200µA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : E3
サプライヤーデバイスパッケージ : E3

あなたも興味があるかもしれません
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.