Infineon Technologies - F1225R12KT4GBOSA1

KEY Part #: K6534523

F1225R12KT4GBOSA1 価格設定(USD) [1023個在庫]

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品番:
F1225R12KT4GBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 25A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F1225R12KT4GBOSA1 製品の属性

品番 : F1225R12KT4GBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 25A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 25A
パワー-最大 : 160W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 25A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 1.45nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module