IPB017N08N5ATMA1 価格設定（USD） [29780個在庫]
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- 品番:
- IPB017N08N5ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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IPB017N08N5ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB017N08N5ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 280µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
223nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
16900pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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