Toshiba Semiconductor and Storage - TPH4R008NH,L1Q

KEY Part #: K6409663

TPH4R008NH,L1Q 価格設定(USD) [73406個在庫]

  • 1 pcs$0.54679
  • 5,000 pcs$0.54407

品番:
TPH4R008NH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH,L1Q electronic components. TPH4R008NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH4R008NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH4R008NH,L1Q 製品の属性

品番 : TPH4R008NH,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5300pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • FDD86326

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.

  • FDD8874

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK.

  • FDD86102

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK.

  • FDD6530A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK.

  • FQD30N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3.