IXYS - IXTP2N100

KEY Part #: K6417404

IXTP2N100 価格設定(USD) [30119個在庫]

  • 1 pcs$1.51278
  • 50 pcs$1.50525

品番:
IXTP2N100
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP2N100 electronic components. IXTP2N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N100 製品の属性

品番 : IXTP2N100
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 825pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 100W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.