STMicroelectronics - STD8NM60ND

KEY Part #: K6415481

[12395個在庫]


    品番:
    STD8NM60ND
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STD8NM60ND electronic components. STD8NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD8NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STD8NM60ND 製品の属性

    品番 : STD8NM60ND
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
    シリーズ : FDmesh™ II
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 700 mOhm @ 3.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 560pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 70W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • STT5PF20V

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6.

    • STT2PF60L

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6.

    • STB70NF03L-1

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK.

    • STI5N52U

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK.

    • STI35N65M5

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK.

    • STI8N65M5

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK.