Infineon Technologies - BSM25GD120DN2E3224BOSA1

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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 価格設定(USD) [1020個在庫]

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品番:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 製品の属性

品番 : BSM25GD120DN2E3224BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 35A
パワー-最大 : 200W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3V @ 15V, 25A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 800µA
入力容量(Cies)@ Vce : 1.65nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module