Infineon Technologies - FZ1600R17HP4HOSA2

KEY Part #: K6533583

FZ1600R17HP4HOSA2 価格設定(USD) [130個在庫]

  • 1 pcs$355.16736

品番:
FZ1600R17HP4HOSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IGBT IHMB130-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FZ1600R17HP4HOSA2 electronic components. FZ1600R17HP4HOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1600R17HP4HOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1600R17HP4HOSA2 製品の属性

品番 : FZ1600R17HP4HOSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IGBT IHMB130-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench
構成 : Single Switch
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 1600A
パワー-最大 : 10500W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.25V @ 15V, 1300A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 130nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.