Rohm Semiconductor - RFN2LAM4STR

KEY Part #: K6457542

RFN2LAM4STR 価格設定(USD) [557903個在庫]

  • 1 pcs$0.06630

品番:
RFN2LAM4STR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400V 1.5A Io PMDTM Schottky
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor RFN2LAM4STR electronic components. RFN2LAM4STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN2LAM4STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN2LAM4STR 製品の属性

品番 : RFN2LAM4STR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 1.5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ : PMDTM
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt