DMN61D9UDW-13 価格設定（USD） [1084431個在庫]
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- 10,000 pcs$0.03063
- 品番:
- DMN61D9UDW-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN61D9UDW-13 electronic components. DMN61D9UDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D9UDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN61D9UDW-13 製品の属性
品番 :
DMN61D9UDW-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
350mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
28.5pF @ 30V
パワー-最大 :
320mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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