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EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069個在庫]

    品番:
    EPC2103ENG
    メーカー:
    EPC
    詳細な説明:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in EPC EPC2103ENG electronic components. EPC2103ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG 製品の属性

    品番 : EPC2103ENG
    メーカー : EPC
    説明 : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    シリーズ : eGaN®
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 7mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6.5nC @ 5V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 760pF @ 40V
    パワー-最大 : -
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : Die
    サプライヤーデバイスパッケージ : Die
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