IRL100HS121 価格設定（USD） [201485個在庫]
- 1 pcs$0.18358
- 品番:
- IRL100HS121
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 6PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRL100HS121 electronic components. IRL100HS121 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL100HS121, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL100HS121 製品の属性
品番 :
IRL100HS121
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 6PQFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
11.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXTM67N10
- IRFS4321-7PPBF
- NVD4805NT4G
- JANTXV2N6790
- JAN2N7227
- RJK6015DPM-00#T1
- RJK0601DPN-E0#T2
- BUK953R5-60E,127
- AOTF2918L
- SCH1334-TL-H
- SI4412ADY-T1-GE3
- SI1405BDH-T1-E3
- 2SK4021(Q)
- APTM20UM05SG
- FDZ201N
- NTB4302
- SPN02N60S5
- HUF75617D3
- HUF76009D3ST
- IRLR014NPBF
- TPCA8016-H(TE12LQM
- JAN2N6784U
- APTM120U10SCAVG
- IRL3714ZSTRR
- MMBF170LT1
- IRLR3714ZTRR
- IRL3202L
- IRFR9024NTRR
- BUK7107-55ATE,118
- IPI60R165CPXKSA1
- HUF75842P3
- FDPF7N60NZT
- SIS892DN-T1-GE3
- STU85N3LH5
- SI7386DP-T1-E3
- IRFR3709ZTRLPBF
- BUK9M28-80EX
- BUK7Y53-100B,115
- IPN60R2K1CEATMA1
- PSMN020-30MLCX