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ON Semiconductor - NTMS4177PR2G

KEY Part #: K6415730

NTMS4177PR2G 価格設定（USD） [308600個在庫]

  • 1 pcs$0.12046
  • 2,500 pcs$0.11986
品番:
NTMS4177PR2G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMS4177PR2G electronic components. NTMS4177PR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4177PR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMS4177PR2G 製品の属性

品番 : NTMS4177PR2G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 12 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3100pF @ 24V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 840mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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