説明 :
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
19.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
8.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
135nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3900pF @ 15V
消費電力(最大) :
2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)