Infineon Technologies - BSM200GA170DLCHOSA1

KEY Part #: K6534300

BSM200GA170DLCHOSA1 価格設定(USD) [582個在庫]

  • 1 pcs$79.82397

品番:
BSM200GA170DLCHOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 MED POWER 62MM-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSM200GA170DLCHOSA1 electronic components. BSM200GA170DLCHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM200GA170DLCHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GA170DLCHOSA1 製品の属性

品番 : BSM200GA170DLCHOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 MED POWER 62MM-2
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 400A
パワー-最大 : 1920W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.2V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 400µA
入力容量(Cies)@ Vce : 15nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

  • APT30GF60JU3

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 58A 192W SOT227.