Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB75YF120N

KEY Part #: K6533766

VS-GB75YF120N 価格設定(USD) [237個在庫]

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品番:
VS-GB75YF120N
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
IGBT 1200V 100A 480W ECONO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB75YF120N 製品の属性

品番 : VS-GB75YF120N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : IGBT 1200V 100A 480W ECONO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 480W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 4.5V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : ECONO2 4PACK

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