EGP51D-E3/D 価格設定（USD） [247410個在庫]
- 1 pcs$0.14950
- 品番:
- EGP51D-E3/D
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD. Rectifiers 5A,200V,50NS
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP51D-E3/D electronic components. EGP51D-E3/D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP51D-E3/D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGP51D-E3/D 製品の属性
品番 :
EGP51D-E3/D
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
シリーズ :
SUPERECTIFIER®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
960mV @ 5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
117pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-201AD
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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