Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3BHE3/9AT

KEY Part #: K6446976

[1581個在庫]


    品番:
    RS3BHE3/9AT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS3BHE3/9AT electronic components. RS3BHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3BHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3BHE3/9AT 製品の属性

    品番 : RS3BHE3/9AT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 2.5A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 150ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : 44pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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