[2254個在庫]
- 品番:
- DLA11C-TR-E
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor DLA11C-TR-E electronic components. DLA11C-TR-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DLA11C-TR-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DLA11C-TR-E 製品の属性
品番 :
DLA11C-TR-E
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
1.1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 1.1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
2-SMD, J-Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
SMD
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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